Microscopía Electrónica de Barrido

Descripción de la técnica

La microscopía electrónica de barrido (MEB) nos permite la observación y caracterización de materiales orgánicos e inorgánicos en escalas que van desde micrómetros hasta nanómetros, es una técnica la cual por medio del barrido de un haz de electrones en la superficie de una muestra y gracias a su gran profundidad de campo, podemos generar imágenes con una apariencia tridimensionales de la superficie de los diferentes materiales analizados.

De la interacción del haz de electrones y los átomos de la superficie de la muestra generamos una gran variedad de señales, con las cuales podemos obtener información topográfica de la superficie, así como su composición elemental en un rango de amplificación de los 18X a los 300,000X.

Las señales de gran interés para nosotros obtenidas del MEB con las cuales podemos obtener resultados de las variaciones de la topografía de la superficie de la muestra son:

  • Electrones secundarios nos proporcionan una excelente imagen con alta resolución de la topografía de la superficie gracias a lo pequeño que podemos hacer nuestro haz de electrones.
  • Electrones retro dispersados nos proporciona imágenes de la topografía y composición de acuerdo a los elementos presentes

Además de las señales antes mencionadas nuestros equipos cuentan con sistema espectroscopia de energía dispersiva de rayos X característicos (ED

  • Los rayos X característicos emitidos como resultado del bombardeo de electrones a la muestra nos permite identificar la composición elemental de manera cualitativa y semicuantitativa de la muestra analizada, a partir de boro hasta americio.

En el SEM (con excepción de muestras liquidas o gases), podemos analizar cualquier tipo de muestra (polímeros, cerámicos, metales, muestras biológicas, alimentos, minerales, etc.) para conocer la topografía de su superficie, tamaño y composición elemental.

Características del equipo

Barrido:JEOL JSM-5900-LV (presión variable) JEOL JSM-5910 (alto vacío)

Resolución: 3.0 nm HV, 5.0 nm LV 3.0 nm HV

Voltaje de aceleración: 0.3 a 3kV (pasos de 100V), 3 a 30kV (pasos de 1kV) 0.3 a 3kV (pasos de 100V), 3 a 30kV (pasos de 1kV)

Amplificación: 18X-300,000X 18X-300,000X

Cañón: Termoiónico W Termoiónico W

Microanálisis (EDS): Oxford Aztec 100 Oxford Aztec 100

Bajo vacío: 10 a 270 Pa


Áreas de aplicación

Esta técnica se utiliza en diferentes áreas por ejemplo en biológica, farmacia, cosmética, metalúrgica, petroquímica, polímeros, ambiental, ingeniería química, alimentos, industria automotriz, minería, entre otras.

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